随着大模型训练与推理算力需求激增，高带宽内存HBM成为存储市场增长最快的细分品类。三星电子表示正加速HBM3E产能投放，并推进更先进的HBM4研发，以满足头部AI芯片厂商的订单需求。

HBM采用堆叠封装工艺，对良率与散热设计要求极高，产能爬坡周期长于传统DRAM。业内预计，未来两年HBM在存储总产值中的占比将显著提升，成为原厂与封测环节竞争的焦点。