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全球电子元器件分销 · 自 2007 年

全球电子元器件 专业代理分销

捷科（亚洲）是立足香港、服务全球的电子元器件专业分销商，代理 Samsung国际一线存储品牌，主营 DRAM、eMMC、消费级存储等产品，服务汽车、物联网、无人机与智慧生活市场。

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深耕半导体行业 17 年以上 · 服务汽车、物联网、无人机等市场

全球电子元器件 专业代理分销

我们的服务

专注全球电子元器件代理分销 · 提供专业的存储器件解决方案

捷科（亚洲）有限公司前身为捷科通讯科技有限公司，于 2007 年创办于深圳和香港两地，专业分销全球电子元器件。我们代理 Samsung（三星）国际一线存储品牌，主营动态随机存储器（DRAM）、嵌入式存储（eMMC）、消费级存储等产品，广泛应用于汽车、物联网、无人机、智慧生活等市场。
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A B C D 精心打造 创新技术 专注品质 贴心售后

三大特色优势

品质保障 · 专业渠道 · 100% 现货，为您创造最优价值

品质保障

一线大品牌存储芯片 / 稳定货源 · 正品保证

专业渠道

最优价格通道 / 最短交付周期，创造最优价值

100% 现货

常备库存充足 / 下单即可快速发货

品牌合作

代理分销国际一线存储品牌

三星 (Samsung)

发展历程

从华强北到布局全球，十七年专业积淀

2007

捷科通讯科技成立

立足深圳华强北，服务国产手机、U盘、移动存储客户

2015

捷科（亚洲）香港注册

总部设于香港，深圳、苏州设分支机构

至今

17 年+ 行业经验

深耕半导体，搭建全球供应商与客户之间的桥梁

全球布局

香港总部统筹，深苏分支协同联动

集团总部

香港总部

设于香港特别行政区，统筹全球业务与品牌合作

源头基地

深圳分支机构

立足华强北电子集散地，贴近制造与供应源头

华东支点

苏州分支机构

服务华东客户，快速响应区域市场需求

应用市场

存储器件赋能多元智能终端

01

网络播放盒

02

移动与 PC

03

AI

04

汽车

05

游戏

06

物联网

07

无人机

08

智慧生活

服务理念

诚信、守时、想客户之所想

原

原装溯源 · 品质立本

Original Sourcing, Quality First

坚守一线原厂渠道，全链路品控溯源，保障每一颗存储芯片正品可靠。

效

全球布局 · 高效交付

Global Layout, Efficient Delivery

多点仓储联动网络，现货储备充足，稳定保障跨境交付时效。

专

专业深耕 · 精准适配

Deep Expertise, Tailored Support

聚焦存储半导体领域，按需提供选型方案，匹配不同产业场景需求。

诚

诚信同行 · 长期共赢

Integrity Partnership, Sustainable Win-win

以客户价值为核心，搭建透明协作体系，共筑产业长期增长生态。

产品中心

涵盖 DRAM、内存卡、闪存 IC、eMMC 等存储器件

M321RAJA0MB2-CCP
M321RAJA0MB2-CCP
- 容量：128GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错） - 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序 - 架构：2Rank ×4（2Rx4） - 工作电压：1.1V 低压节能 - 颗粒构成：(8G×4)×40 颗 DRAM 芯片 - 针脚：288Pin 服务器 DIMM - 稳定性：支持 2DPC 每通道、7×24 小时机房不间断运行
 MDRRWM4QDBC2-3G000
MDRRWM4QDBC2-3G000
1. 容量：96GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错） 2. 频率：6400Mbps（PC5-51200），电压 1.1V 3. 架构：2Rank ×4（2Rx4） 4. 针脚：288Pin 服务器 DIMM 5. 颗粒组成：(6G×4)×40 颗 DRAM 芯片 6. 特性：支持 2DPC 双条每通道、硬件数据检错纠错，7×24 小时机房稳定运行
 M321R8GA0EB2-CCPWF
M321R8GA0EB2-CCPWF
- 容量：64GB - 类型：DDR5 ECC RDIMM（REG 寄存器纠错内存） - 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序 - 架构：2Rank ×4（2Rx4） - 电压：1.1V 低电压 - 针脚：288Pin 服务器 DIMM
 MZTL67T6HBLC-00AW7
MZTL67T6HBLC-00AW7
- 接口：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 - 形态：E1.S 9.5mm 厚度高密度刀片盘 - 容量：7.68TB TLC 企业级固态 - 极限性能： 顺序读取 12000MB/s、顺序写入 6800MB/s 随机读 200 万 IOPS、随机写 40 万 IOPS - 耐久：1 DWPD 5 年质保，搭载 PLP 硬件掉电保护 - MTBF：250 万小时，数据中心 7×24 小时不间断运行
 MZTL63T8HFLT-00AW7
MZTL63T8HFLT-00AW7
1. **接口协议**：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 2. **性能** - 顺序读取：12000 MB/s - 顺序写入：6800 MB/s - 随机读：170 万 IOPS，随机写：25 万 IOPS 3. **耐久**：1 DWPD 5 年企业级写入寿命，带 PLP 掉电保护 4. **闪存**：三星新一代 V-NAND TLC，数据中心优化固件
 MZQL27T6HBLA-00A07
MZQL27T6HBLA-00A07
1. **系列**：Samsung PM9A3 企业级读密集型 SSD 2. **规格**：2.5 英寸 7mm 厚度 U.2 (SFF-8639)、PCIe4.0 x4 NVMe 1.4 协议 3. **闪存**：三星第六代 V-NAND TLC，带 PLP 硬件掉电保护 4. **耐久**：总写入量 14016TBW 5. **性能**：顺序读取 6800MB/s、顺序写入 4000MB/s，随机读 100 万 IOPS
 MZQL23T8HCLS-00A07
MZQL23T8HCLS-00A07
规格：PM9A3 企业级、2.5 英寸 U.2（SFF-8639）、PCIe4.0 NVMe、3.84TB TLC 固态
 K3KL5L50EA-BGCU
K3KL5L50EA-BGCU
- 规格：LPDDR5X DRAM，128Gbit = 单颗**16GB** - 位宽：x64bit - 速率：满血 8533Mbps 高频版 - 供电：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压 - 温区：-25℃ ~ +85℃ 商业级
 K3KL5L50CM-BGCW
K3KL5L50CM-BGCW
- 类型：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM - 容量：128Gbit = **单颗 16GB** - 位宽：x64bit - 速率：8533 Mbps 高频版 - 供电：四档低压 1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V - 工作温度：-25℃ ~ +85℃ 商业级 - 封装：FBGA496 - 闪存 Die：第五代 V-NAND 架构，功耗优化版
 K3KL4L40EM-BGCU
K3KL4L40EM-BGCU
- **型**：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM - **容量**：96Gbit = **单颗 12GB** - **位宽**：x64bit - **速率**：8533 Mbps（行业俗称 8553Mbps 高频版） - **供电电压**：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压 - **工作温度**：-25℃ ~ +85℃ 商业级 - **封装**：FBGA-496 - **典型用途**：骁龙 8 Gen1/Gen2、天玑 9000/9200 手机 CPU 上盖运存、平板、高端掌机、AI 算力终端内存扩容
 K4UHE3S4AA-MGCL
K4UHE3S4AA-MGCL
1. **类型**：Samsung LPDDR4X 低功耗移动内存 2. **容量**：32Gbit = 单颗 **4GB** 3. **位宽**：x32bit 4. **速率**：4266Mbps 5. **电压**：0.6V / 1.1V / 1.8V 三电压供电，超低功耗 6. **温度**：-25℃ ~ +85℃ 7. **封装**：FBGA200 8. **用途**：手机运存、平板、高端 IoT 设备、智能穿戴、工控嵌入式主板
 KLMCG1RCTE-B041
KLMCG1RCTE-B041
- 容量：**64GB eMMC 5.1** - 总线模式：HS400 高速 - 供电电压：内核 1.8V / 闪存 3.3V - 工作温度：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读取≈330MB/s，顺序写入≈150MB/s
 KLMBG1UCTC-B041
KLMBG1UCTC-B041
- 型号：**KLMBG1UCTC-B041** - 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**32GB** - 接口：HS400 高速总线 - 电压：核心 1.8V / VCC 3.3V - 温度等级：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读≈330MB/s，顺序写≈110MB/s
 K4UBE3D4AB-MGCL
K4UBE3D4AB-MGCL
三星 32Gb (4GB) LPDDR4X，速率 4266Mbps
 KLMAG1JETD-B041
KLMAG1JETD-B041
- 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**16GB** - 封装：FBGA-153（153 球 BGA） - 接口：HS400 高速模式 - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 宽温工业级 - 读写：顺序读约 330MB/s，写约 50MB/s
 KLM8G1GETF-B041
KLM8G1GETF-B041
类型：eMMC 5.1 容量：8GB 封装：FBGA-153，尺寸 11.5×13×0.8mm 模式：支持 HS400 电压：VDD 2.7~3.3V / VCCQ 1.8V/3.3V
 K4AAG165WA-BCTD
K4AAG165WA-BCTD
类型：DDR4 SDRAM 容量：16Gbit（2GB），1G×16bit 速率：2666Mbps 电压：1.2V
 K4A8G165WC-BCWE
K4A8G165WC-BCWE
类型：DDR4 SDRAM 容量：8Gbit（1GB），512M × 16bit 速率：3200Mbps（PC4-25600） 电压：1.2V
 K4AAG165WC-BCWE
K4AAG165WC-BCWE
- 类型：三星 DDR4 x16 位宽 DRAM - 容量：16Gb = 单颗 2GB - 速率：DDR4 3200Mbps
 KLM4G1FETE-B041
KLM4G1FETE-B041
- 型号：KLM4G1FETE-B041 - 规格：**4GB eMMC 5.1**，HS400 高速模式 - 封装：FBGA153，尺寸 11×10×0.8mm - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 工业宽温 - 用途：老安卓手机字库、摄像头、机顶盒、工控板、路由器小容量存储
 M321RAJA0MB2-CCP
M321RAJA0MB2-CCP
- 容量：128GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错） - 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序 - 架构：2Rank ×4（2Rx4） - 工作电压：1.1V 低压节能 - 颗粒构成：(8G×4)×40 颗 DRAM 芯片 - 针脚：288Pin 服务器 DIMM - 稳定性：支持 2DPC 每通道、7×24 小时机房不间断运行
 MDRRWM4QDBC2-3G000
MDRRWM4QDBC2-3G000
1. 容量：96GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错） 2. 频率：6400Mbps（PC5-51200），电压 1.1V 3. 架构：2Rank ×4（2Rx4） 4. 针脚：288Pin 服务器 DIMM 5. 颗粒组成：(6G×4)×40 颗 DRAM 芯片 6. 特性：支持 2DPC 双条每通道、硬件数据检错纠错，7×24 小时机房稳定运行
 M321R8GA0EB2-CCPWF
M321R8GA0EB2-CCPWF
- 容量：64GB - 类型：DDR5 ECC RDIMM（REG 寄存器纠错内存） - 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序 - 架构：2Rank ×4（2Rx4） - 电压：1.1V 低电压 - 针脚：288Pin 服务器 DIMM
 MZTL67T6HBLC-00AW7
MZTL67T6HBLC-00AW7
- 接口：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 - 形态：E1.S 9.5mm 厚度高密度刀片盘 - 容量：7.68TB TLC 企业级固态 - 极限性能： 顺序读取 12000MB/s、顺序写入 6800MB/s 随机读 200 万 IOPS、随机写 40 万 IOPS - 耐久：1 DWPD 5 年质保，搭载 PLP 硬件掉电保护 - MTBF：250 万小时，数据中心 7×24 小时不间断运行
 MZTL63T8HFLT-00AW7
MZTL63T8HFLT-00AW7
1. **接口协议**：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 2. **性能** - 顺序读取：12000 MB/s - 顺序写入：6800 MB/s - 随机读：170 万 IOPS，随机写：25 万 IOPS 3. **耐久**：1 DWPD 5 年企业级写入寿命，带 PLP 掉电保护 4. **闪存**：三星新一代 V-NAND TLC，数据中心优化固件
 MZQL27T6HBLA-00A07
MZQL27T6HBLA-00A07
1. **系列**：Samsung PM9A3 企业级读密集型 SSD 2. **规格**：2.5 英寸 7mm 厚度 U.2 (SFF-8639)、PCIe4.0 x4 NVMe 1.4 协议 3. **闪存**：三星第六代 V-NAND TLC，带 PLP 硬件掉电保护 4. **耐久**：总写入量 14016TBW 5. **性能**：顺序读取 6800MB/s、顺序写入 4000MB/s，随机读 100 万 IOPS
 MZQL23T8HCLS-00A07
MZQL23T8HCLS-00A07
规格：PM9A3 企业级、2.5 英寸 U.2（SFF-8639）、PCIe4.0 NVMe、3.84TB TLC 固态
 K3KL5L50EA-BGCU
K3KL5L50EA-BGCU
- 规格：LPDDR5X DRAM，128Gbit = 单颗**16GB** - 位宽：x64bit - 速率：满血 8533Mbps 高频版 - 供电：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压 - 温区：-25℃ ~ +85℃ 商业级
 K3KL5L50CM-BGCW
K3KL5L50CM-BGCW
- 类型：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM - 容量：128Gbit = **单颗 16GB** - 位宽：x64bit - 速率：8533 Mbps 高频版 - 供电：四档低压 1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V - 工作温度：-25℃ ~ +85℃ 商业级 - 封装：FBGA496 - 闪存 Die：第五代 V-NAND 架构，功耗优化版
 K3KL4L40EM-BGCU
K3KL4L40EM-BGCU
- **型**：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM - **容量**：96Gbit = **单颗 12GB** - **位宽**：x64bit - **速率**：8533 Mbps（行业俗称 8553Mbps 高频版） - **供电电压**：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压 - **工作温度**：-25℃ ~ +85℃ 商业级 - **封装**：FBGA-496 - **典型用途**：骁龙 8 Gen1/Gen2、天玑 9000/9200 手机 CPU 上盖运存、平板、高端掌机、AI 算力终端内存扩容
 K4UHE3S4AA-MGCL
K4UHE3S4AA-MGCL
1. **类型**：Samsung LPDDR4X 低功耗移动内存 2. **容量**：32Gbit = 单颗 **4GB** 3. **位宽**：x32bit 4. **速率**：4266Mbps 5. **电压**：0.6V / 1.1V / 1.8V 三电压供电，超低功耗 6. **温度**：-25℃ ~ +85℃ 7. **封装**：FBGA200 8. **用途**：手机运存、平板、高端 IoT 设备、智能穿戴、工控嵌入式主板
 KLMCG1RCTE-B041
KLMCG1RCTE-B041
- 容量：**64GB eMMC 5.1** - 总线模式：HS400 高速 - 供电电压：内核 1.8V / 闪存 3.3V - 工作温度：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读取≈330MB/s，顺序写入≈150MB/s
 KLMBG1UCTC-B041
KLMBG1UCTC-B041
- 型号：**KLMBG1UCTC-B041** - 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**32GB** - 接口：HS400 高速总线 - 电压：核心 1.8V / VCC 3.3V - 温度等级：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读≈330MB/s，顺序写≈110MB/s
 K4UBE3D4AB-MGCL
K4UBE3D4AB-MGCL
三星 32Gb (4GB) LPDDR4X，速率 4266Mbps
 KLMAG1JETD-B041
KLMAG1JETD-B041
- 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**16GB** - 封装：FBGA-153（153 球 BGA） - 接口：HS400 高速模式 - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 宽温工业级 - 读写：顺序读约 330MB/s，写约 50MB/s
 KLM8G1GETF-B041
KLM8G1GETF-B041
类型：eMMC 5.1 容量：8GB 封装：FBGA-153，尺寸 11.5×13×0.8mm 模式：支持 HS400 电压：VDD 2.7~3.3V / VCCQ 1.8V/3.3V
 K4AAG165WA-BCTD
K4AAG165WA-BCTD
类型：DDR4 SDRAM 容量：16Gbit（2GB），1G×16bit 速率：2666Mbps 电压：1.2V
 K4A8G165WC-BCWE
K4A8G165WC-BCWE
类型：DDR4 SDRAM 容量：8Gbit（1GB），512M × 16bit 速率：3200Mbps（PC4-25600） 电压：1.2V
 K4AAG165WC-BCWE
K4AAG165WC-BCWE
- 类型：三星 DDR4 x16 位宽 DRAM - 容量：16Gb = 单颗 2GB - 速率：DDR4 3200Mbps
 KLM4G1FETE-B041
KLM4G1FETE-B041
- 型号：KLM4G1FETE-B041 - 规格：**4GB eMMC 5.1**，HS400 高速模式 - 封装：FBGA153，尺寸 11×10×0.8mm - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 工业宽温 - 用途：老安卓手机字库、摄像头、机顶盒、工控板、路由器小容量存储

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