三星电子日前在季度技术说明会上透露，其第10代1c纳米制程DRAM已进入量产爬坡阶段，初期良率突破业界预期的关键节点。相比上一代，新工艺在单元电容结构与刻蚀精度上实现优化，单晶圆bit产出提升约15%。

业内分析认为，随着AI与高性能计算对内存带宽需求的持续放大，先进制程DRAM的产能释放将有效缓解高端市场供需紧张。作为三星存储产品线的核心分销商，捷科将持续跟进新一代DRAM的供应节奏，为客户提供更稳定的货源保障。