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- 容量：**64GB eMMC 5.1** - 总线模式：HS400 高速 - 供电电压：内核 1.8V / 闪存 3.3V - 工作温度：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读取≈330MB/s，顺序写入≈150MB/s

- 型号：**KLMBG1UCTC-B041** - 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**32GB** - 接口：HS400 高速总线 - 电压：核心 1.8V / VCC 3.3V - 温度等级：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃** - 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命 - 读写性能：顺序读≈330MB/s，顺序写≈110MB/s

- 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存 - 容量：**16GB** - 封装：FBGA-153（153 球 BGA） - 接口：HS400 高速模式 - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 宽温工业级 - 读写：顺序读约 330MB/s，写约 50MB/s

类型：eMMC 5.1 容量：8GB 封装：FBGA-153，尺寸 11.5×13×0.8mm 模式：支持 HS400 电压：VDD 2.7~3.3V / VCCQ 1.8V/3.3V

- 型号：KLM4G1FETE-B041 - 规格：**4GB eMMC 5.1**，HS400 高速模式 - 封装：FBGA153，尺寸 11×10×0.8mm - 电压：1.8V / 3.3V - 温区：-25℃ ~ 85℃ 工业宽温 - 用途：老安卓手机字库、摄像头、机顶盒、工控板、路由器小容量存储