M321RAJA0MB2-CCP
- 容量：128GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错）
- 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序
- 架构：2Rank ×4（2Rx4）
- 工作电压：1.1V 低压节能
- 颗粒构成：(8G×4)×40 颗 DRAM 芯片
- 针脚：288Pin 服务器 DIMM
- 稳定性：支持 2DPC 每通道、7×24 小时机房不间断运行
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MDRRWM4QDBC2-3G000
1. 容量：96GB DDR5 RDIMM（REG 寄存器 + ECC 硬件纠错）
2. 频率：6400Mbps（PC5-51200），电压 1.1V
3. 架构：2Rank ×4（2Rx4）
4. 针脚：288Pin 服务器 DIMM
5. 颗粒组成：(6G×4)×40 颗 DRAM 芯片
6. 特性：支持 2DPC 双条每通道、硬件数据检错纠错，7×24 小时机房稳定运行
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M321R8GA0EB2-CCPWF
- 容量：64GB
- 类型：DDR5 ECC RDIMM（REG 寄存器纠错内存）
- 频率：6400Mbps（PC5-51200），CL52 时序
- 架构：2Rank ×4（2Rx4）
- 电压：1.1V 低电压
- 针脚：288Pin 服务器 DIMM
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MZTL67T6HBLC-00AW7
- 接口：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
- 形态：E1.S 9.5mm 厚度高密度刀片盘
- 容量：7.68TB TLC 企业级固态
- 极限性能：
顺序读取 12000MB/s、顺序写入 6800MB/s
随机读 200 万 IOPS、随机写 40 万 IOPS
- 耐久：1 DWPD 5 年质保，搭载 PLP 硬件掉电保护
- MTBF：250 万小时，数据中心 7×24 小时不间断运行
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MZTL63T8HFLT-00AW7
1. **接口协议**：PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
2. **性能**
- 顺序读取：12000 MB/s
- 顺序写入：6800 MB/s
- 随机读：170 万 IOPS，随机写：25 万 IOPS
3. **耐久**：1 DWPD 5 年企业级写入寿命，带 PLP 掉电保护
4. **闪存**：三星新一代 V-NAND TLC，数据中心优化固件
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MZQL27T6HBLA-00A07
1. **系列**：Samsung PM9A3 企业级读密集型 SSD
2. **规格**：2.5 英寸 7mm 厚度 U.2 (SFF-8639)、PCIe4.0 x4 NVMe 1.4 协议
3. **闪存**：三星第六代 V-NAND TLC，带 PLP 硬件掉电保护
4. **耐久**：总写入量 14016TBW
5. **性能**：顺序读取 6800MB/s、顺序写入 4000MB/s，随机读 100 万 IOPS
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MZQL23T8HCLS-00A07
规格：PM9A3 企业级、2.5 英寸 U.2（SFF-8639）、PCIe4.0 NVMe、3.84TB TLC 固态
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K3KL5L50EA-BGCU
- 规格：LPDDR5X DRAM，128Gbit = 单颗**16GB**
- 位宽：x64bit
- 速率：满血 8533Mbps 高频版
- 供电：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压
- 温区：-25℃ ~ +85℃ 商业级
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K3KL5L50CM-BGCW
- 类型：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM
- 容量：128Gbit = **单颗 16GB**
- 位宽：x64bit
- 速率：8533 Mbps 高频版
- 供电：四档低压 1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V
- 工作温度：-25℃ ~ +85℃ 商业级
- 封装：FBGA496
- 闪存 Die：第五代 V-NAND 架构，功耗优化版
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K3KL4L40EM-BGCU
- **型**：Samsung LPDDR5X 超低功耗移动 DRAM
- **容量**：96Gbit = **单颗 12GB**
- **位宽**：x64bit
- **速率**：8533 Mbps（行业俗称 8553Mbps 高频版）
- **供电电压**：1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V 四档低压
- **工作温度**：-25℃ ~ +85℃ 商业级
- **封装**：FBGA-496
- **典型用途**：骁龙 8 Gen1/Gen2、天玑 9000/9200 手机 CPU 上盖运存、平板、高端掌机、AI 算力终端内存扩容
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K4UHE3S4AA-MGCL
1. **类型**：Samsung LPDDR4X 低功耗移动内存
2. **容量**：32Gbit = 单颗 **4GB**
3. **位宽**：x32bit
4. **速率**：4266Mbps
5. **电压**：0.6V / 1.1V / 1.8V 三电压供电，超低功耗
6. **温度**：-25℃ ~ +85℃
7. **封装**：FBGA200
8. **用途**：手机运存、平板、高端 IoT 设备、智能穿戴、工控嵌入式主板
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KLMCG1RCTE-B041
- 容量：**64GB eMMC 5.1**
- 总线模式：HS400 高速
- 供电电压：内核 1.8V / 闪存 3.3V
- 工作温度：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃**
- 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命
- 读写性能：顺序读取≈330MB/s，顺序写入≈150MB/s
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KLMBG1UCTC-B041
- 型号：**KLMBG1UCTC-B041**
- 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存
- 容量：**32GB**
- 接口：HS400 高速总线
- 电压：核心 1.8V / VCC 3.3V
- 温度等级：工业宽温 **-25℃ ~ +85℃**
- 闪存类型：3D TLC NAND，约 3000 次 P/E 擦写寿命
- 读写性能：顺序读≈330MB/s，顺序写≈110MB/s
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K4UBE3D4AB-MGCL
三星 32Gb (4GB) LPDDR4X，速率 4266Mbps
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KLMAG1JETD-B041
- 类型：Samsung eMMC 5.1 嵌入式闪存
- 容量：**16GB**
- 封装：FBGA-153（153 球 BGA）
- 接口：HS400 高速模式
- 电压：1.8V / 3.3V
- 温区：-25℃ ~ 85℃ 宽温工业级
- 读写：顺序读约 330MB/s，写约 50MB/s
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KLM8G1GETF-B041
类型：eMMC 5.1
容量：8GB
封装：FBGA-153，尺寸 11.5×13×0.8mm
模式：支持 HS400
电压：VDD 2.7~3.3V / VCCQ 1.8V/3.3V
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K4AAG165WA-BCTD
类型：DDR4 SDRAM
容量：16Gbit（2GB），1G×16bit
速率：2666Mbps
电压：1.2V
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K4A8G165WC-BCWE
类型：DDR4 SDRAM
容量：8Gbit（1GB），512M × 16bit
速率：3200Mbps（PC4-25600）
电压：1.2V
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K4AAG165WC-BCWE
- 类型：三星 DDR4 x16 位宽 DRAM
- 容量：16Gb = 单颗 2GB
- 速率：DDR4 3200Mbps
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KLM4G1FETE-B041
- 型号：KLM4G1FETE-B041
- 规格：**4GB eMMC 5.1**，HS400 高速模式
- 封装：FBGA153，尺寸 11×10×0.8mm
- 电压：1.8V / 3.3V
- 温区：-25℃ ~ 85℃ 工业宽温
- 用途：老安卓手机字库、摄像头、机顶盒、工控板、路由器小容量存储
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